深圳冠芯美电子科技有限公司
第3年
第3年 
第3年
来源：深圳冠芯美电子科技有限公司 时间：2024-12-26 18:22:21 [举报]
EEPROM：128 Bytes，单字节操作无需擦，10万次写入
SRAM: 内部256 Bytes，外部1K Bytes
中断
9个有效中断源，两级中断级
6个外部中断，支持键盘中断，可配置任意引脚输入，支持上沿/下沿/双沿触发
低功耗
IDLE模式低电流4.5uA
STOP模式低电流1.8uA
内部LRC运行功耗6uA
16Mhz@5V运行典型功耗1.5mA
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